FET P/NXR710/810K
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
KENWOOD
Modelo
2SJ-506ES
Garantía
1
Características Principales
- Transistor FET de alta eficiencia
- Diseño compacto y resistente
- Bajo consumo de energía
- Amplia gama de frecuencias
- Compatible con múltiples dispositivos
- Óptimo para entornos industriales
Especificaciones Técnicas
Características del producto
- Transistor de efecto de campo (FET) modelo 2SJ506ES de KENWOOD
- Referencia cruzada: P/NXR710/810K
- Tipo: P-canal, MOSFET de potencia
- Aplicación: Amplificadores de potencia, circuitos de conmutación
- Características técnicas típicas: Alta capacidad de corriente, bajo RDS(on), alta fiabilidad