Productos
0
Newsfeed
0
Especiales
0
Newsfeed
0
Especiales
Productos
Nuevos
Para Ti
Caja Abierta
Eventos
Soporte
Blog
Apps
Productos
Iniciar Sesión
0
Iniciar Sesión
0
Carrito
Productos
2N6505 Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11 | SYSCOM
Radiocomunicación
Refacciones
Misceláneo
Inicio
Radiocomunicación
Refacciones
Misceláneo
2N6505
Transistor Diodo SCR para 25 Amper, 100 Volt, 20 Watt, TO-220AB, para Fuentes SECOM-11
Corriente RMS de 25 A para alta capacidad
Voltaje de bloqueo de 100 V
Disipación de potencia de 20 W
Encapsulado TO-220AB para disipación eficiente
Temperatura de operación de -40 a +125 °C
Tecnología SCR para control AC preciso
Modelo
2N6505
Marca
SYSCOM
SAT
32111600
3 años de garantía
Descargas
Descargas
Equipos Complementarios
Complementarios
Artículos
Artículos
Videos
Videos
Material de Marketing
Marketing
Etiqueta Producto
Ficha Técnica
2N-6505 datasheet
Especificaciones
Características Principales
Diseñado para aplicaciones de control AC de media onda
Unión de paso de vidrio para mayor uniformidad y estabilidad
Construcción termorresistente con baja resistencia térmica
Capacidad de corriente de pico no repetitivo de 300 A
Rango de voltaje de bloqueo de 50 a 800 V
Disipación de potencia de 20 W
Especificaciones Principales
Corriente RMS:
25 A
Corriente promedio:
16 A
Temperatura de unión:
-40 a +125 °C
Resistencia térmica (Junto a Carcasa):
1.5 °C/W
Temperatura máxima de soldadura:
260 °C
Aplicaciones
Control de motores
Control de calefacción
Circuitos de protección en fuentes de alimentación
Conmutación de corriente alterna
Ratings Máximos
VDRM:
100 V
IT(RMS):
25 A
IT(AV):
16 A
ITSM:
250 A
PGM:
20 W
PG(AV):
0.5 W
IGM:
2.0 A
Características Eléctricas
IDRM/IRRM:
10 mA (TJ=25°C)
Vtm:
1.8 V (ITM=50 A)
Igt:
9.0-30 mA
Vgt:
1.0-1.5 V
Vgd:
0.2 V
Ih:
18-80 mA
Características Dinámicas
dv/dt:
50 V/μs
tiempo de encendido (tgt):
1.5-2.0 μs
tiempo de apagado (tq):
15-35 μs
Características Físicas
Encapsulado:
TO-220AB
Configuración de pines:
Cátodo, Ánodo, Puerta, Ánodo
Temperatura de almacenamiento:
-40 a +150 °C
Curvas Características
Corriente promedio en función del ángulo de conducción
Disipación de potencia en estado activo
Corriente de pico no repetitivo
Respuesta térmica transitoria
Características de disparo en función de temperatura
Consideraciones de Diseño
No aplicar voltaje positivo en la puerta concurrentemente con potencial negativo en el ánodo
No probar voltajes de bloqueo con fuente de corriente constante
Verificar compatibilidad térmica con el disipador
Considerar derating de corriente a altas temperaturas
Validar parámetros típicos en cada aplicación específica
