Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
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Información Básica
Marca
RF PARTS
Modelo
RD70HUF2
Garantía
3
Características Principales
- Potencia de salida de hasta 84W típicamente
- Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz
- Cinta y carrete: 500 unidades disponible
- Diodo integrado de protección para la puerta
- Diseño para amplificadores VHF/UHF de alta potencia
Especificaciones Técnicas
Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.
DESCRIPCIÓN
RD70HUF2 es un transistor de tipo MOS FET específicamente diseñado para aplicaciones de amplificadores de potencia VHF / UHF RF.
CARACTERISTICAS
1. Suministro con cinta y carrete. 500 Unidades por Carrete
2. Empleando el paquete de molde
3. Alta potencia y alta eficiencia
Pout = 75Wtyp, Drain Effi. = 64% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 5.5W f = 530MHz
Pout = 84Wtyp, Drain Effi. = 74% typ @ Vds = 12.5V Idq = 1.0A Pin = 4.0W f = 175MHz
4. Diodo integrado de protección de la puerta.
APLICACION
Etapa de salida de amplificadores de alta potencia en banda VHF / UHF de radios móviles.