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IRF9Z30 Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III. | SYSCOM
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IRF9Z30
Transistor de Potencia MOSFET, Canal P, 50 Volt, 18 Amp., 0.14 Ohm, 74 Watt, TO-220AB, para Analizador III.
MOSFET Canal P con voltaje de 50 V
Corriente continua de drenaje de 18 A
RDS(on) máxima de 0.14 Ω a 10 V
Disipación de potencia de 74 W
Capacitancia de entrada de 900 pF a 25 V
Paquete TO-220AB para montaje en PCB
Modelo
IRF9Z30
Marca
SYSCOM
SAT
32111602
3 años de garantía
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Etiqueta Producto
Ficha Técnica
IRF9Z30
SIHF9Z30
Especificaciones
Transistor de Potencia MOSFET
Tipo:
Canal P
Voltaje:
50 Volt
Corriente:
18 Amp.
Rds:
0.14 Ohm
Potencia:
74 Watt
Paquete:
TO-220AB
Aplicación:
Analizador III
Características Técnicas
FET Type:
P-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss):
50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
140mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Especificaciones Adicionales
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
39 nC @ 10 V
Vgs (Max):
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
900 pF @ 25 V
FET Feature:
-
Power Dissipation (Max):
74W (Tc)
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type:
Through Hole
Información del Paquete
Supplier Device Package:
TO-220AB
Package / Case:
TO-220-3
Base Product Number:
IRF9Z30
