1560001061 Transistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD | SYSCOMTransistor FET de RF / Hasta 8 GHz / Bajo Ruido / Encapsulado SMD
- Transistor de efecto de campo (FET) de alta precisión
- Diseñado para aplicaciones de RF y microondas
- Frecuencia de operación hasta 8 GHz
Bajo ruido y alta linealidad
Encapsulado SMD para montaje superficial Compatibilidad con estándares industriales ICV8000