90611029 Transistor FET Canal N de RF / Frecuencia hasta 100 MHz / Ruptura 30V / Corriente de Drenaje 100 mA | SYSCOMTransistor FET Canal N de RF / Frecuencia hasta 100 MHz / Ruptura 30V / Corriente de Drenaje 100 mA
- Transistor de alta frecuencia hasta 100 MHz
- Diseño compacto para integración en circuitos pequeños
- Bajo ruido para aplicaciones de RF
Tecnología FET de canal N para mayor eficiencia
Tensión de ruptura de 30 V Corriente máxima de drenaje de 100 mA Especificaciones
Información del Producto
- Producto: TRANSISTOR 3SK166 P/ICF3/F40845-8005231 08/08/98JZ
- Marca:
- Modelo: 90611029
- Modo: MEJORAR_BASICO