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2SC3320 Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM . | SYSCOM
Radiocomunicación
Refacciones
Misceláneo
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Misceláneo
2SC-3320
Transistor de Potencia en Silicio tipo NPN, 500 Vc-b, 15 A. 80 Watt, TO-3PM .
Transistor NPN de silicio para alta potencia
Voltaje colector-base hasta 500 V
Corriente máxima de colector 15 A
Disipación de potencia hasta 80 W
Empaque TO-3PN para alta confiabilidad
Baja caída de voltaje en saturación 1.0 V
Modelo
2SC-3320
Marca
SYSCOM PARTS
SAT
32111600
3 años de garantía
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Etiqueta Producto
Ficha Técnica
2SC3320 Spec Sheet
2SC3451.PDF
Especificaciones
Características Principales
Transistor NPN de silicio para alta potencia
Voltaje de colector a base hasta 500 V
Corriente máxima de 15 A
Capacidad de disipación hasta 80 Watt
Empaque TO-3PN para alta confiabilidad
Aplicaciones
Reguladores de Switcheo
Generadores Ultrasónicos
Inversores de Alta Frecuencia
Amplificadores de Potencia de Uso General
Características Eléctricas
V
CBO
:
500 V (Colector-Base)
V
CEO
:
400 V (Colector-Emisor)
V
EBO
:
7 V (Emisor-Base)
I
C
:
15 A (Corriente de Colector)
P
C
:
80 W (Disipación de Potencia)
Especificaciones Técnicas
Tensión de ruptura V
(BR)CEO
:
400 V
Tensión de ruptura V
(BR)CBO
:
500 V
V
CEsat
:
1.0 V (I
C
=6A, I
B
=1.2A)
V
BEsat
:
1.5 V (I
C
=6A, I
B
=1.2A)
Corriente de fuga I
CBO
:
1.0 mA (V
CB
=500V, I
E
=0)
Características Térmicas
R
th(j-c)
:
1.56 °C/W (Resistencia térmica)
T
j
:
150 °C (Temperatura de unión)
T
stg
:
-65~150 °C (Almacenamiento)
Conexiones (TO-3PN)
Pin 1:
Base
Pin 2:
Colector (conectado a base de montaje)
Pin 3:
Emisor
Tiempo de Conmutación
t
on
:
0.5 µs
t
s
:
1.5 µs (I
B2
=-3A, R
L
=20Ω)
t
f
:
0.15 µs
Ganancia de Corriente
h
FE
:
10 (I
C
=6A, V
CE
=5V)
